合科泰MOSFET如何推動充電寶能效升級

引言：新規驅動下的合科T何技術升級

2025年8月實施了充電寶新國標，其核心指標包括額定輸出容量大于90%，泰M推動這個變化提高了電源轉換效率要求，充電把原本的效升隱性需求轉變成了硬性要求。合科泰半導體基于自主研發的合科T何SGT工藝平臺，推出了HKTQ65N03、泰M推動HKTG50N03等明星產品，充電通過技術突破實現能效提升，效升助力客戶輕松應對新規挑戰。合科T何

SGT工藝：低損耗的泰M推動核心密碼

合科泰SGT工藝采用0.18μm溝槽刻蝕技術，在30V耐壓等級實現3.8mΩ的充電導通電阻，關鍵突破點包括：

1. 三維柵極結構

溝槽深度達1.2μm，效升溝道密度提升至1.2e12 cm?2

引入屏蔽柵極降低柵漏電容Cgd，合科T何開關損耗減少35%

8nm超薄柵氧層(擊穿場強10MV/cm)，泰M推動柵極電荷Qg=18nC@10V

2. 封裝熱管理

PDFN3333封裝采用0.8mm厚銅漏極焊盤，充電熱阻RθJA=60℃/W

雙面散熱設計支持20A持續電流，結溫控制在125℃以內

3. 可靠性強化

-55℃~150℃全溫域參數漂移小于等于5%

1000次溫度循環測試后，導通電阻變化率小于3%

合科泰SGT MOSFET在同步整流中的應用示例

核心產品與場景化應用

1. HKTQ65N03：VBUS協議開關的理想選擇

參數：30V/65A，RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V，PDFN3333封裝

應用：USBPD協議VBUS路徑控制

優勢：30V耐壓滿足20V輸出的電壓余量要求;3.8mΩ導通電阻在5V/2A場景下損耗僅72mW;支持1MHz開關頻率，適配PD3.1 EPR標準

2. HKTG50N03：同步整流的能效標桿

參數：30V/50A，RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V，PDFN5x6封裝

應用：20W-65W快充次級同步整流

優勢：SGT工藝實現6.8mΩ超低導通電阻;反向恢復時間Trr=25ns，高頻特性優異;5x6mm封裝支持雙面散熱，持續電流達50A

3. HKTD50N06：BMS保護開關的可靠之選

參數：60V/50A，RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V，TO-252封裝

應用：鋰電池放電保護開關

優勢：60V耐壓適配多串電池組;13.5mΩ平衡損耗與成本;通過10mJ雪崩能量測試

選型指南與設計建議

1. 功率分級選型

10W以下：HKTQ30N03(30V/30A/5.3mΩ)

10W-30W：HKTG50N03(同步整流)+ HKTQ65N03(VBUS開關)

30W以上：HKTD50N06(BMS保護)+ HKTG50N03(同步整流)

2. layout設計要點

VBUS路徑采用2oz銅厚，寬度≥2mm

MOSFET漏極焊盤面積≥4mm2

柵極串聯10Ω電阻抑制震蕩

結語：以技術創新應對能效挑戰

合科泰SGT工藝MOSFET通過低導通電阻、高頻開關特性和優異散熱設計，為充電寶廠商提供從協議控制到能量轉換的全鏈路解決方案。HKTQ65N03與HKTG50N03等MOS管助力通過新規能效測試，輸出容量達標率提升至95%以上。如需獲取技術支持，可聯系合科泰FAE團隊。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發、設計、生產、銷售一體化的專業元器件高新技術及專精特新企業。專注提供高性價比的元器件供應與定制服務，滿足企業研發需求。

產品供應品類：覆蓋半導體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、穩壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他，一站式配齊研發與生產所需。

兩大智能生產制造中心：華南和西南制造中心(惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡)配備共3000多臺先進設備及檢測儀器;2024年新增3家半導體材料子公司，從源頭把控產能與交付效率。

提供封裝測試OEM代工：支持樣品定制與小批量試產，配合100多項專利技術與ISO9001、IATF16949認證體系，讓“品質優先”貫穿從研發到交付的每一環。

合科泰在始終以“客戶至上、創新驅動”為核心，為企業提供穩定可靠的元件。